Name: Vishay Siliconix SI8405DB-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8405DB-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI8405DB-T1-E3

Artikelnummer:

SI8405DB-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT

Datenblätte:

1.SI8405DB-T1-E3.pdf ···: Umweltinformationen
Material Compliance.pdf

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mosfet EOL 24/Jun/2015.pdf

Datenblätter
SI8405DB.pdf

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ECAD -Modell:

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI8405DB-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI8405DB-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	4-Microfoot
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.47W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	4-XFBGA, CSPBGA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.6A (Ta)
Grundproduktnummer	SI8405
SI8405DB-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI8405DB-T1-E3 PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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